力晶科技公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2694950專 |
| 公告日期 : 2017-12-28 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:三維記憶體的陣列結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期: 106/11/103.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 72,2864.其他應敘明事項:一種三維記憶體的陣列結構，包括：堆疊結構，為由介電層與第一導電層交錯堆疊而成的結構，堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層，且孔洞於介電層與第一導電層處分別具有不同的孔徑；第二導電層，設置於堆疊結構中的孔洞；以及資料儲存層，設置於堆疊結構與第二導電層之間。<摘錄公開資訊觀測站> |
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