力晶科技公告本公司取得美國專利局核發US 9780195專利 |
| 公告日期 : 2017-12-28 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 250,9444.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、堆疊結構、通道層與第二介電層。堆疊結構包括第一介電層與多個記憶胞。第一介電層設置於基底上。記憶胞堆疊設置於第一介電層上。各個記憶胞包括二層第一導體層與電荷儲存結構。電荷儲存結構設置於第一導體層之間。垂直相鄰的記憶胞中的電荷儲存結構彼此隔離。通道層設置於堆疊結構的側壁上，且連接於基底。第二介電層設置於通道層與第一導體層之間。<摘錄公開資訊觀測站> |
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