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  美國記憶體大廠美光(Micron)大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟,聯電總經理簡山傑對此予以駁斥,強調聯電早年就生產過DRAM,本身擁有不少DRAM專利,事隔15年後決定自主研發DRAM技術,目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。
  問:聯電重新投入DRAM技術研發原因為何?
  答:聯電的本業是晶圓代工,順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務,聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展,包括MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)等,等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者,聯電是借外部力量來研發DRAM技術,福建晉華支持研發費用,雙方共同投入研發設備及技術,可快速研發速度,不會擠壓聯電的獲利表現。
  聯電要獨立自主研發DRAM技術,另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根,這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後,相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作,意義格外重大。
  問:美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產,聯電的技術來源為何?
  答:聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年,長期投入研發已有很好的技術實力,連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產,而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分,則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解,再依據開發路線落實。事實上,DRAM工作原理沒有改變,現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術,達到每位元更低成本的目標,操作原理與15年前研發DRAM時相同。
  問:聯電的DRAM事業的營運模式為何?
  答:聯電目前與國外DRAM設計公司合作,以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊,聯電本業是晶圓代工,所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式,與經驗豐富的DRAM設計團隊合作,可以減少研發過程中的許多不確定性因素,加快問題解決的速度。再者,聯電未來的DRAM技術研發成功後,會授權給晉華生產,但聯電並沒有投資晉華,未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫,不會與台灣現有DRAM廠商競爭。
  問:聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同?
  答:聯電不了解美光製造DRAM的內容,因此無從說明兩者之差異,但根據第三方TechInsights於2013年發表文章,有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM,美光採用直行式主動區(ActiveArea,AA)設計,但聯電DRAM選擇交錯式AA設計,與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處,選擇不同的記憶胞架構,代表了不同的研發道路,證明聯電和美光的技術核心不相同。<摘錄工商>

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