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爾必達和瑞晶聯手搶進4F2 DDR3技術
新聞發生日期:2011-02-11 | 相關公司:瑞晶電子 |
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爾必達(Elpida)的台灣存託憑證(TDR)即將在2月25日登場,與瑞晶合資成立的研發中心也打鐵趁熱展示最新的研發成果,宣布4F2架構的1Gb DDR3技術成功試產,採用65奈米製程。爾必達強調,在同樣製程之下,採用4F2架構技術生產的晶片可較主流的6F2架構技術體積減少30%,且適合用於低功耗產品如Mobile RAM等。 爾必達在2007年的DRAM技術架構是採用8F2,到了2008年進入60奈米製程包括65奈米和63奈米,以及2009年導入45奈米製程,都改採 6F2技術架構,目前業界主流的DRAM技術架構仍是6F2為居多,像是三星電子(Samsung Electronics)等大廠也試圖導入4F2架構技術,但各家採取的方式都相異。 爾必達與瑞晶合資的研發中心在2010年開始運作,趁著近期爾必達要來台灣發行TDR,也順勢展現台日合作開發技術的成效,宣布成功試產4F2架構的1Gb DDR3,採用65奈米製程。 爾必達分析,在同樣以50奈米製程生產下,4F2技術架構將較6F2架構生產的晶片體積減少30%,意即再不用製程微縮的情況下,每片晶圓產出可增加,且4F2技術架構生產的DRAM產品特別適合用於低功耗的記憶體,如Mobile RAM等。 不過,記憶體業者也認為4F2技術架構要導入量產難度門檻較高,過去有也DRAM廠導入4F2技術架構後,又重新回頭採用6F2架構技術,象徵4F2技術障礙不低,未來如何在40奈米和30奈米製程世代上,成功以4F2技術架構量產也是一大學問。 爾必達社長?本幸雄則表示,4F2架構技術可持續用於下世代如20奈米製程,且成功研發4F2架構DRAM技術也代表台日記憶體業者合作更加緊密。 瑞晶總經理陳正坤則表示,這次在瑞晶成功研發4F2架構技術,代表台灣記憶體業者的技術等級不輸國際大廠,在技術突破和產能持續增加下,期勉瑞晶的競爭力能更上一層樓。<摘錄工商> |
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