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創意、美光 3奈米HBM3E開花
新聞發生日期：2024-09-25 | 相關公司：台灣美光記憶體 |
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ASIC設計服務公司創意24日宣布，其3奈米HBM3E控制器和實體層I P（Physical Layer IP）獲得雲端服務供應商（CSP）及多家高效運 算（HPC）業者採用。該尖端ASIC預計將於今年流片，並搭載最新的 9.2Gbps HBM3E記憶體技術；創意表示，積極與HBM供應商（如美光） 合作，為下一代AI ASIC開發HBM4 IP。
創意的HBM3E IP方案在技術上領先市場，並已通過台積電先進製程 技術的矽驗證，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P製程。此外，創意 電子的IP亦通過所有主流HBM3供應商的矽驗證，確保其解決方案的兼 容性與穩定性；公司積極與HBM記憶體供應商如美光科技合作，致力 於開發下一代HBM4 IP，以應對未來更多元化的應用需求。
法人指出，創意與CSP業者合作密切，其中包含微軟、谷歌等都有 協助開發ASIC經驗。推測該案為打造base die，法人分析，以9.2Gb ps傳輸速度為分野，速度要更快就必須使用先進製程logic die，如 果要再連接UCIe（通用小晶片互連）即要使用5奈米甚至客製化。
目前除了輝達、超微通用型GPU大廠外，HBM3E解決方案採用率不高 ，但伴隨今年流片，未來將成為AI伺服器標配，甚至加快往更高階之 HBM4。創意於HBM4 IP已經準備完成，有望為公司創造更大獲利。
創意表示，與美光的合作證明，創意之HBM3E IP與美光HBM3E可以 在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps高頻寬記憶傳輸；現在更通 過多個先進技術與主流廠商的驗證，獲多家大廠採用。創意行銷長A ditya Raina提到，未來將持續為各種應用提供支持，包括人工智慧 、高效能運算、網路和汽車。 |
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